欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSF1600-B/MF05

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " BSF1600-B/MF05 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSF450NE7NH3XUMA1 BSF-HD BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR

BSF1600-B/MF05 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSF1600-B/MF05 技術參數

BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2