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BSHG_TE2_V5.00

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批號
價格
說明
操作

BSHG_TE2_V5.00
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業執照
37
MOT
PLCC52
18+
-
原裝正品,優勢現貨

BSHG_TE2_V5.00
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
MOT
PLCC52
01/03+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSHG_TE2_V5.00
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
225
MOT
PLCC52
2012+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： BSHORTNOSE BSK10-D BSK10-Q BSK14-L BSK14-M BSK18-L BSK18-M BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327HTSA1

BSHG_TE2_V5.00 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSHG_TE2_V5.00 技術參數

BSH207,135 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.52A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSH203,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:470mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:110pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 280mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSL205NH6327XTSA1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1