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BSM100T120DN2

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BSM100T120DN2 技術參數
  • BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態:過期 壓力類型:排氣式壓力計 工作壓力:15 PSI(103.42 kPa) 輸出類型:模擬電壓 輸出:0 mV ~ 79.5 mV(3V) 精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口 特性:- 端子類型:表面貼裝型 最高壓力:45 PSI(310.26 kPa) 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應商器件封裝:8-LCC 標準包裝:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態:有效 電池類型,功能:9V,卡入式觸點(單) 樣式:觸點,卡入式(負極) 電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K
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