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BSM150GD120DN2

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操作

BSM150GD120DN2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
EUPEC
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSM150GD120DN2E
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
N/A
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優

BSM150GD120DN2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSM150GD120DN2
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
26550
EUPEC
正品封裝
23+
-
正規商現貨供應

1/1頁 40條/頁共18條
1

您是不是要找： BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X

BSM150GD120DN2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSM150GD120DN2 PDF下載

制造商
EUPEC
制造商全稱
EUPEC
功能描述
Econopacks shrink frequency converters

BSM150GD120DN2 技術參數

BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:1 BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L