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BSM181AR

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • BSM181AR
    BSM181AR

    BSM181AR

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • EUPEC

  • MODULE

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSM181AR
    BSM181AR

    BSM181AR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • EUPEC

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSM181AR
    BSM181AR

    BSM181AR

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • EUPEC

  • 主營模塊

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • BSM181AR
    BSM181AR

    BSM181AR

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SIEMENS

  • 1MOS:

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,質量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
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BSM181AR 技術參數
  • BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):180A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C
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