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BSM35GP12O

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • EUPEC

  • 原廠封裝

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BSM35GP12O 技術參數
  • BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):* 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,35A 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):300A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 68mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:4 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C
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