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BSN20TR

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  • BSN20TR
    BSN20TR

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 13620

  • NXP

  • NA

  • 23+

  • -
  • 只做全新原裝正品現貨

  • BSN20TR
    BSN20TR

    BSN20TR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PHI

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • BSN20TR
    BSN20TR

    BSN20TR

  • 深圳市金嘉旭貿易有限公司
    深圳市金嘉旭貿易有限公司

    聯系人:

    電話:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 823

  • NXP

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 進口原裝特價出售

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
BSN20TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSN20TR 技術參數
  • BSN20Q-7 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BSN20BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):265mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.49nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSN20-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BSN20,235 功能描述:MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):173mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BSN20,215 功能描述:MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):173mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 BSO052N03S BSO064N03S BSO065N03MSGXUMA1 BSO072N03S BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO080P03NS3GXUMA1 BSO080P03S H BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1
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