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BSO080P03NS3GXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
BSO080P03NS3GXT 技術參數
  • BSO080P03NS3EGXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO072N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.8 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 45μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3230pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO065N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO064N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3620pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO052N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5530pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1
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