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BSO104N03S.

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BSO104N03S.
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
Infineon
SOP8
2010+
-

BSO104N03S.
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
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您是不是要找： BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1

BSO104N03S. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSO104N03S. 技術參數

BSO104N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2130pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO094N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO083N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO080P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:136nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO080P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.6A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:136nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5890pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.79W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C