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BSP89.

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N LOGIC SOT-223
BSP89. 技術參數
  • BSP89,115 功能描述:MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):375mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 340mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP89 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP88L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP88H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP88E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSPD24DING BSPD24DINLHF BSPD48DING BSPD48RJ45 BSPD5BNCDD BSPD5BNCDI BSPD5BNCSI BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR BSPH2600PV
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