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BSR31TAPBF

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  • BSR31TAPBF
    BSR31TAPBF

    BSR31TAPBF

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 85000

  • ZETEX

  • SOT-89

  • 09+pb

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BSR31TAPBF
    BSR31TAPBF

    BSR31TAPBF

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 17000

  • zetex

  • sot-89

  • 09+pb

  • -
  • 進口原裝現貨,一定自己庫存

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  • 1
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BSR31TAPBF 技術參數
  • BSR31TA 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:Digi-Reel? 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BSR316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 360mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 360mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):620mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 620mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):176pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):620mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 620mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):176pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A
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