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BSR33LH

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操作

BSR33LH
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
PH
SOT223
22+
-
全新原裝現貨供應

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z

BSR33LH PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSR33LH 技術參數

BSR33,135 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR33 標準包裝:1 BSR33,115 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR33 標準包裝:1 BSR31TA 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:Digi-Reel? 零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BSR316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 360mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 360mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D