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BSR92PL6327

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSR92PL6327
深圳市藍山航業電子科技有限公司
深圳市藍山航業電子科技有限公司
聯系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
inf
22+
-
行業低價，代理渠道

BSR92PL6327
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
INFINEON
SMD
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSR92PL6327@@@@@@
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
原廠
QFN
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

BSR92PL6327@@@@@@
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
QFN
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSR92PL6327HTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SC-59
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

1/1頁 40條/頁共20條
1

您是不是要找： BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR

BSR92PL6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSR92PL6327 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-Channel MOSFETs (-20V... -250V)

BSR92PL6327 技術參數

BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR58LT1G 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:800mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:350mW 標準包裝:3,000 BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A