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BSS-150

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  • BSS-150-01-L-D-A
    BSS-150-01-L-D-A

    BSS-150-01-L-D-A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SAMTEC

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  • BSS-150-01-L-D-A
    BSS-150-01-L-D-A

    BSS-150-01-L-D-A

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • SAMTEC

  • 0715+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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BSS-150 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS-150 技術參數
  • BSS139L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 0.1mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS139L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 0.1mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS139H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:3,000 BSS139H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):76pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100μA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS139 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100μA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327 BSS169 E6906 BSS169H6327XTSA1 BSS169H6906XTSA1 BSS169L6327HTSA1 BSS169L6906HTSA1 BSS192,115 BSS192,135
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