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BSS123-7-G

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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSS123-7-G
    BSS123-7-G

    BSS123-7-G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 7450

  • DIODES

  • SOT23

  • 09+pbf

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BSS123-7-G
    BSS123-7-G

    BSS123-7-G

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 1370

  • diodes

  • sot23

  • 09+pbf

  • -
  • 進口原裝現貨,一定自己庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
BSS123-7-G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS123-7-G 技術參數
  • BSS123-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123-7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123_D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS123/LF1R 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 120mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS123,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 120mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR
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