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BSS123LT1(XHZ)

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BSS123LT1(XHZ) 技術(shù)參數(shù)
  • BSS123LT1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSS123L7874XT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS123L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):21.5pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS126L6327HTSA1
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