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BSS124

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • BSS124
    BSS124

    BSS124

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Siemens

  • TO-92

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSS124
    BSS124

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 14066

  • SIE

  • TO-92

  • 2024+

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  • 頂級代理商原裝現貨

  • BSS124
    BSS124

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • sie

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  • 09/10+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSS124
    BSS124

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

  • 西門子

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現貨,優勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
BSS124 技術參數
  • BSS123WQ-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BSS123W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BSS123W-7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BSS123W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):71pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BSS123TC 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS126L6327HTSA1 BSS126L6906HTSA1 BSS127 E6327 BSS127 H6327 BSS127H6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2 BSS127L6327HTSA1 BSS127S-7 BSS127SSN-7 BSS131 H6327 BSS131E6327 BSS131H6327XTSA1
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