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BSS138W-7-F-HN

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說明
操作

BSS138W-7-F-HN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
DIODES
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSS138W-7-F-HN
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
DIODES
S
15+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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BSS138W-7-F-HN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BSS138W-7-F-HN 技術(shù)參數(shù)

BSS138W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W L6433 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138W L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS138W E6433 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS139L6906HTSA1 BSS-150-01-C-D-A BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1