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BSS139H6906XTSA1

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  • BSS139H6906XTSA1
    BSS139H6906XTSA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSS139H6906XTSA1
    BSS139H6906XTSA1

    BSS139H6906XTSA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • TO-236-3,SC-59,SOT-2

  • 21+

  • -
  • 質量保真,價格實惠,假一罰十

  • BSS139H6906XTSA1
    BSS139H6906XTSA1

    BSS139H6906XTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSS139H6906XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel
BSS139H6906XTSA1 技術參數
  • BSS139H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):76pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100μA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS139 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100μA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS139 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 0.1mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS139 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 0.1mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS138W-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327 BSS169 E6906 BSS169H6327XTSA1 BSS169H6906XTSA1 BSS169L6327HTSA1 BSS169L6906HTSA1
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