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BSS84-G

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSS84-G
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
3500
ONSEMI
NA
18+ROHS
-
全新原裝！優勢庫存熱賣中！

BSS84-G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
85118
onsemi
TO-236-3, SC-59, SOT
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSS84-G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
86268
ON Semiconductor
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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您是不是要找： BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1

BSS84-G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSS84-G 技術參數

BSS84DW-7-F 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BSS84DW-7 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000 BSS84AKW-BX 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:3,000 BSS84AKW,115 功能描述:MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 BSS84AKVL 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024