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BSS87.

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N LOGIC SOT-89
BSS87. 技術(shù)參數(shù)
  • BSS87,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):400mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):580mW(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 400mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 封裝/外殼:TO-243AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS87 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSS84WQ-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84W-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84W-7 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P
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