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BSTR6590

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  • BSTR6590
    BSTR6590

    BSTR6590

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • SIEMENS

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • BSTR6590
    BSTR6590

    BSTR6590

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8500

  • SIEMENS

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝特價現貨?。?/p>

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  • 制造商
  • n/a
  • 功能描述
  • Power Semiconductor
BSTR6590 技術參數
  • BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 150mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 150mA,5V 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 150mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BST62-70TA 功能描述:TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):72V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1,000 BST62,115 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BST62 標準包裝:1 BSTS-27X4 BSTS-27X4/CL/NM BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L
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