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BT01R45-10SP

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BT01R45-10SP
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ATMEL
QFN
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BT01R45-10SP
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
ATMEL
QFN
最新批次
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BT01R45-10SP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BT01R45-10SP 技術參數

BT-01-50M 功能描述:BONDATHERM EQUALIZER DISPENSE GU 制造商:wakefield-vette 系列:BondaTherm? 零件狀態:在售類型:敷料器，環氧樹脂標準包裝:1 BT00M12S-3P 功能描述:BT 5015 2C 2#16 PIN 制造商:amphenol aerospace operations 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 BT/RT-18X26.5-A 功能描述:SPECIAL TRIM FOR 82387-0027 制造商:omron automation and safety 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 BSZ900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0 BT1.5M-M30 BT1.5M-M69 BT1.5M-XMR