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BTS110SL

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BTS110SL
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TO220
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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BTS110SL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BTS110SL 技術參數

BTS110NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:500 BTS110E3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 BTS110A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態:有效類型:六角支座有絲/無絲:有螺紋公母:公頭，母頭螺釘，螺紋規格:#6-32 直徑 - 內部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板間高度:0.375"（9.53mm） 3/8" 長度 - 總:0.625"（15.88mm）5/8" 特性:- 材料:黃銅鍍層:鎳顏色:- 重量:- 標準包裝:500 BTS105A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態:有效類型:六角支座有絲/無絲:有螺紋公母:公頭，母頭螺釘，螺紋規格:#6-32 直徑 - 內部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板間高度:0.250"（6.35mm）1/4" 長度 - 總:0.500"（12.70mm）1/2" 特性:- 材料:黃銅鍍層:鎳顏色:- 重量:- 標準包裝:500 BTS-100-01-L-D-TR 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售連接器類型:插口，外罩觸點針腳數:200 間距:0.025"（0.64mm）排數:2 安裝類型:表面貼裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.160"（4.06mm）標準包裝:125 BTS117TC BTS117TCBUMA1 BTS118D BTS118DATMA1 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2