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BTS282ZE3180AATMA2

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  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 7500

  • INFINEON

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  • 1725+

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • INFINEON

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  • 晶體管

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

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    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

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  • INFINEON/英飛凌

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TO263-7

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TEMPFET - Tape and Reel
BTS282ZE3180AATMA2 技術參數
  • BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7(成形引線) 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:P-TO220-5 標準包裝:500 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D
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