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BTS282ZE3180AT

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BTS282ZE3180AT
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
INFINEON
TO-220-7
15+
-
原裝正品，假一罰十

1/1頁 40條/頁共2條
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BTS282ZE3180AT 技術參數

BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V FET 功能:溫度保護功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO263-7-1 標準包裝:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7（成形引線）供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D