欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BTS3014SDR

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BTS3014SDR
    BTS3014SDR

    BTS3014SDR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • SOT252

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
BTS3014SDR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BTS3014SDR 技術參數
  • BTS282ZE3230AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V FET 功能:溫度保護 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO263-7-1 標準包裝:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7(成形引線) 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D BTS3134DATMA1
配單專家

在采購BTS3014SDR進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買BTS3014SDR產品風險,建議您在購買BTS3014SDR相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的BTS3014SDR信息由會員自行提供,BTS3014SDR內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 延边| 剑河县| 太仓市| 炉霍县| 斗六市| 曲周县| 深圳市| 五莲县| 乐安县| 曲靖市| 孝义市| 奉贤区| 得荣县| 开封市| 涪陵区| 夏津县| 远安县| 阳谷县| 甘谷县| 宁蒗| 海阳市| 遂平县| 灌云县| 嘉峪关市| 阜城县| 精河县| 永靖县| 昭苏县| 惠水县| 罗田县| 墨玉县| 保山市| 余姚市| 遂溪县| 临湘市| 共和县| 固原市| 织金县| 白玉县| 津市市| 鹤壁市|