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BTS7930P

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BTS7930P 技術參數

BTS7930B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關系列:NovalithIC™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅動器輸入類型:SPI 輸出數:8 導通狀態電阻:850 毫歐，1.6 歐姆電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7904SAKSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V，30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W，96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:PG-TO220-5-13 標準包裝:500 BTS7904BATMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V，30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W，96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D2Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS7811KDTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Hi Side/Lo Side 18-Pin(15+3Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRILITH IC / NOVALITH IC - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC BRIDGE DRIVER PAR TO263-15 BTS7810KNTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Hi Side/Lo Side 0.005A 18-Pin(15+3Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRILITH IC / NOVALITH IC - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC BRIDGE DRIVER PAR TO263-15 BTT60302EKAXUMA1 BTT60302EKBXUMA1 BTT60501EKAXUMA1 BTT60502EKAXUMA1 BTT61002EKAXUMA1 BTT62001EJAXUMA1 BTT62004EMAXUMA1 BTW67-1000 BTW67-200 BTW67-600 BTW68-1000RG BTW68-1200RG BTW68-200RG BTW68-600RG BTW68-800RG BTW69-1000RG BTW69-1200N BTW69-1200RG