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BUCATE1Y72

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BUCATE1Y72 技術參數

BUB941ZTT4 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A，10V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 BUB941ZT 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A，10V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BUB323ZT4G 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 BUB323ZT4 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUB323ZG 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 BUD42D-1G BUD42DG BUD42DT4 BUD42DT4G BUF01900AIDRCR BUF01900AIDRCT BUF01900AIPW BUF01900AIPWR BUF01901AIDRCR BUF01901AIDRCT BUF01901AIPW BUF01901AIPWG4 BUF01901AIPWR BUF04701AIDGSR BUF04701AIPWR BUF05703PW BUF05703PWG4 BUF05703PWR