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BUD6OO

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BUD6OO 技術參數

BUD42DT4G 功能描述:TRANS NPN 350V 4A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:2,500 BUD42DT4 功能描述:TRANS NPN 350V 4A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:2,500 BUD42DG 功能描述:TRANS NPN 350V 4A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:75 BUD42D-1G 功能描述:TRANS NPN 350V 4A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:75 BUD42D-001 功能描述:TRANS NPN 350V 4A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:75 BUF04701AIDGSR BUF04701AIPWR BUF05703PW BUF05703PWG4 BUF05703PWR BUF05704AIPWP BUF05704AIPWPR BUF06703PW BUF06703PWG4 BUF06703PWR BUF06704AIPWP BUF06704AIPWPR BUF06704AIPWPRG4 BUF07702PWP BUF07702PWPG4 BUF07702PWPR BUF07702PWPRG4 BUF07703PWP