欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BUK7105-40ATE/T3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " BUK7105-40ATE/T3 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BUK7107-40ATC,118 BUK7107-55AIE,118 BUK7107-55ATE,118 BUK7108-40AIE,118 BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118

BUK7105-40ATE/T3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK7105-40ATE/T3 技術參數(shù)

BUK7105-40ATE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:800 BUK7105-40AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:電流感測漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:127nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5000pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK6E4R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:234nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E3R4-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:204W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:258nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118 BUK7214-75B,118 BUK72150-55A,118 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118 BUK7237-55A,118 BUK7240-100A,118 BUK724R5-30C,118 BUK725R0-40C,118