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BUK7614-55118

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  • BUK7614-55118
    BUK7614-55118

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 13620

  • NXP

  • SOT404

  • 24+

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  • 只做全新原裝正品現貨

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BUK7614-55118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BUK7614-55118 技術參數
  • BUK7614-55,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 68A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):68A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2900pF @ 25V 功率 - 最大值:142W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:4,800 BUK7613-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2644pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK7613-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):58A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):22.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):96W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK7613-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):97.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4533pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):182W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK7611-55B,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2604pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK761R6-40E,118 BUK761R7-40E,118 BUK761R8-30C,118 BUK7620-100A,118 BUK7620-55A,118 BUK7623-75A,118 BUK7624-55,118 BUK7624-55A,118 BUK7626-100B,118 BUK7628-100A,118 BUK7628-100A/C,118 BUK7628-55A,118 BUK762R0-40C,118 BUK762R0-40E,118 BUK762R4-60E,118 BUK762R6-40E,118 BUK762R6-60E,118 BUK762R7-30B,118
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