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BUK7C06-40AITE/T3

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BUK7C06-40AITE/T3 技術參數
  • BUK7C06-40AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4300pF @ 25V FET 功能:電流感測 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB 標準包裝:1 BUK794R1-40BT,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchPLUS 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6808pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:TO-220-5 標準包裝:50 BUK7909-75ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4700pF @ 25V FET 功能:溫度檢測二極管 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標準包裝:50 BUK7909-75AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4700pF @ 25V FET 功能:電流感測 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標準包裝:50 BUK7908-40AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3140pF @ 25V FET 功能:電流感測 功率耗散(最大值):221W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標準包裝:50 BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127 BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127 BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R7-30B,127 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127
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