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BUK7Y33-100B,115

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BUK7Y33-100B,115 技術參數

BUK7Y2R5-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4790pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:190W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y2R0-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:90.5nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:217W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y29-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:492pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y28-75B,115 功能描述:MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1417pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y25-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y4R8-60EX BUK7Y53-100B,115 BUK7Y54-75B,115 BUK7Y59-60EX BUK7Y65-100EX BUK7Y6R0-60EX BUK7Y72-80EX BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R8-80EX BUK7Y8R7-60EX BUK7Y98-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK9107-40ATC,118 BUK9107-55ATE,118 BUK9207-30B,118 BUK9209-40B,118 BUK9212-55B,118