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BUK9209-40B118

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  • BUK9209-40B118
    BUK9209-40B118

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 13620

  • NXP

  • TO-252

  • 24+

  • -
  • 只做全新原裝正品現貨

  • BUK9209-40B118
    BUK9209-40B118

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • NXP

  • TO-252

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • BUK9209-40B118
    BUK9209-40B118

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 86959

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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BUK9209-40B118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BUK9209-40B118 技術參數
  • BUK9209-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK9207-30B,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3430pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 BUK9107-55ATE,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式),邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):108nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5836pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:800 BUK9107-40ATC,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式),邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5836pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK7Y9R9-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):89A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):51.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):498pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9217-75B,118 BUK9219-55A,118 BUK9222-100EJ BUK9222-55A,118 BUK9222-55A,127 BUK9222-55A/C1,118 BUK9223-60EJ BUK9225-55A,118 BUK9226-75A,118 BUK9230-100B,118 BUK9230-55A,118 BUK9230-80EJ BUK9234-100EJ BUK9237-55,118 BUK9237-55A,118 BUK9237-55A/C1,118 BUK9240-100A,118 BUK9240-100A/C1,11
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