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BUK95R2-55B

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  • BUK95R2-55B
    BUK95R2-55B

    BUK95R2-55B

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 1122

  • PHILIPS

  • TO220

  • 2025+

  • -
  • 絕對現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BUK95R2-55B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BUK95R2-55B 技術參數
  • BUK958R5-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK9575-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):643pF @ 25V 功率 - 最大值:62W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK9575-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1704pF @ 25V 功率 - 最大值:98W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK956R1-100E,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):133nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17460pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK954R8-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9710pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):234W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 BUK9608-55B,118 BUK9609-40B,118 BUK9609-55A,118 BUK9609-75A,118 BUK9610-100B,118 BUK9610-55A,118 BUK9611-55A,118 BUK9611-80E,118 BUK9612-55B,118 BUK9614-55A,118 BUK9614-60E,118 BUK96150-55A,118 BUK9615-100A,118 BUK9615-100E,118 BUK9616-55A,118 BUK9616-75B,118 BUK96180-100A,118 BUK9618-55A,118
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