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BUK962R2-40C118

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BUK962R2-40C118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK962R1-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):87.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13160pF @ 25V 功率 - 最大值:293W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9629-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):33nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9628-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1725pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):99W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9628-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):49A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4293pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):166W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9624-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1815pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):105W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK963R2-40B,118 BUK963R3-60E,118 BUK9640-100A,118 BUK964R1-40E,118 BUK964R2-55B,118 BUK964R2-60E,118 BUK964R2-80E,118 BUK964R4-40B,118 BUK964R7-80E,118 BUK964R8-60E,118 BUK965R4-40E,118 BUK965R8-100E,118 BUK9660-100A,118 BUK966R5-60E,118 BUK9675-100A,118 BUK9675-100A/C1J BUK9675-55A,118 BUK968R3-40E,118
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