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BUL1604ED

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BUL1604ED PDF下載

功能描述
兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BUL1604ED 技術參數

BUL146G 功能描述:TRANS NPN 400V 6A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:14MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL146FG 功能描述:TRANS NPN 400V 6A TO-220FP 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:14MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 BUL146F 功能描述:TRANS NPN 400V 6A TO-220FP 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:14MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 BUL146 功能描述:TRANS NPN 400V 6A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:14MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL1403ED 功能描述:TRANS NPN 650V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 400mA，3V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL3P5 BUL416 BUL416T BU-L4-313TIN BU-L4-375TIN BUL44 BUL44G BUL45 BUL45D2 BUL45D2G BUL45G BUL49D BUL49DFP BUL510 BUL58D BUL59 BU-L6-250 BU-L6-313TIN