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BUZ12AL

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUZ12AL
    BUZ12AL

    BUZ12AL

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 15326

  • SIEMENS

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 頂級代理原裝現貨假一賠十

  • BUZ12AL
    BUZ12AL

    BUZ12AL

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • BUZ12AL
    BUZ12AL

    BUZ12AL

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SIE

  • N/A

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BUZ12AL
    BUZ12AL

    BUZ12AL

  • 深圳市金嘉旭貿易有限公司
    深圳市金嘉旭貿易有限公司

    聯系人:

    電話:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 1061

  • SIEM

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 進口原裝特價出售

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BUZ12AL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)
BUZ12AL 技術參數
  • BUZ11-NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:800 BUZ11_R4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:400 BUZ11_NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 BUZ10 功能描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUY69A 功能描述:TRANS NPN 400V 10A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3.3V @ 2.5A,8A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 2.5A,10V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1
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