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BUZ78A

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUZ78A
    BUZ78A

    BUZ78A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-220

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • BUZ78A
    BUZ78A

    BUZ78A

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 20508

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • BUZ78A
    BUZ78A

    BUZ78A

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • INFINEON

  • P-TO220-3-1

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
BUZ78A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BUZ78A 技術參數
  • BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 3.5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 3.5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73E3046XK 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:500 BV002SSQ200404CZ BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0
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