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BUZ80AFI

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUZ80AFI
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
35600
SIEMENS
TO-220
2024+
-
代理商庫房現貨

BUZ80AFI
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
25+
-
國產品牌，替代進口

BUZ80AFI
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
Infineon/英飛凌
TO-220F
22+
-
十年配單，只做原裝

BUZ80AFI
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SIEMENS
TO-220
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BUZ80AFI
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
INFINEON
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優勢供應

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ

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BUZ80AFI PDF下載

制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k)

BUZ80AFI 技術參數

BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:500 BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0 BV020-5389.0