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BYD33D/PH

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BYD33D/PH 技術參數

BYD17K,135 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 1.5A MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:21pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD17J,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 1.5A MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:21pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD17G,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 1.5A MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:21pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD17D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 1.5A MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:21pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD13MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:7pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 BYD33JGP-E3/73 BYD33JGPHE3/54 BYD33JGPHE3/73 BYD33KGP-E3/54 BYD33KGP-E3/73 BYD33KGPHE3/54 BYD33KGPHE3/73 BYD33MGP-E3/54 BYD33MGP-E3/73 BYD33MGPHE3/54 BYD33MGPHE3/73 BYD37M,115 BYD77B,115 BYD77D,115 BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR3 BYG10DHE3/TR BYG10DHE3/TR3