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BYG10C-E3/TR

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價格
說明
操作

BYG10C-E3/TR
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
VISHAY
DO-214A
22+
-
全新原裝現貨供應

BYG10C-E3/TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
VISHAY
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

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1

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BYG10C-E3/TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BYG10C-E3/TR 技術參數

BYD77D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD77B,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD37M,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD33MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 BYD33MGPHE3/54 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,500 BYG10DHM3_A/I BYG10D-M3/TR BYG10D-M3/TR3 BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3