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BYG10DHE3/TR3

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BYG10DHE3/TR3
    BYG10DHE3/TR3

    BYG10DHE3/TR3

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售部經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業執照

  • 256

  • Vishay Semiconductors

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • BYG10DHE3/TR3
    BYG10DHE3/TR3

    BYG10DHE3/TR3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BYG10DHE3/TR3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 200 Volt 1.5 Amp Glass Passivated
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
BYG10DHE3/TR3 技術參數
  • BYG10DHE3/TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.15V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,800 BYG10D-E3/TR3 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.15V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 基本零件編號:BYG10D 標準包裝:1 BYG10D-E3/TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.15V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:DO-214AC(SMA) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 BYD77D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:50pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD77B,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:50pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3 BYG10JHE3/TR BYG10JHE3/TR3 BYG10JHE3_A/H BYG10JHE3_A/I
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