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BYM358X/SOT186A/RAILH//

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

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BYM358X/SOT186A/RAILH// 技術參數
  • BYM358X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):1500V,600V 電流 - 最大值:7A 不同?Vr,F 時的電容:- 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1,000 BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):1500V,600V 電流 - 最大值:7A 不同?Vr,F 時的電容:- 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:2 個獨立式 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.55V @ 15V,25A 電流 - 集電極截止(最大值):40μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):- 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 時的電容:80pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81 BYQ28EB-200HE3/45
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