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BYT54BGEG

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BYT54BGEG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BYT54BGEG 技術參數

BYT54A-TR 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.25A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT54A-TAP 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.25A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53G-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53G-TAP 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53F-TR 功能描述:Diode Avalanche 300V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT54K-TR BYT54M-TAP BYT54M-TR BYT56A-TAP BYT56A-TR BYT56B-TAP BYT56B-TR BYT56D-TAP BYT56D-TR BYT56G-TAP BYT56G-TR BYT56J-TAP BYT56J-TR BYT56K-TAP BYT56K-TR BYT56M-TAP BYT56M-TR BYT60P-1000