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BYT60-1200

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BYT60-1200 技術參數

BYT56M-TR 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYT56M-TAP 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56K-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56K-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56J-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT79-500,127 BYT79-600,127 BYT79B-600PJ BYT79X-600,127 BYT79X-600PQ BYV10-600PQ BYV10ED-600PJ BYV10EX-600PQ BYV10X-600PQ BYV12-TAP BYV12-TR BYV13-TAP BYV13-TR BYV14-TAP BYV14-TR BYV15-TAP BYV15-TR BYV16-TAP