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BYT79-500127

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Diode

BYT79-500127 技術參數

BYT79-500,127 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:14A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.38V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BYT79-500 標準包裝:1,000 BYT78-TR 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYT78-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYT77-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT77-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYV12-TR BYV13-TAP BYV13-TR BYV14-TAP BYV14-TR BYV15-TAP BYV15-TR BYV16-TAP BYV16-TR BYV255V-200 BYV25D-600,118 BYV25F-600,127 BYV25FB-600,118 BYV25FD-600,118 BYV25FX-600,127 BYV25G-600,127 BYV25X-600,127 BYV26A-TAP