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BYW34/TFK

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BYW34/TFK 技術參數

BYW33-TR 功能描述:Diode Avalanche 300V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW33-TAP 功能描述:Diode Avalanche 300V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW32-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW32-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW29G-200-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.15V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 BYW51FP-200 BYW51G-200 BYW51G-200-TR BYW52-TAP BYW52-TR BYW53-TAP BYW53-TR BYW54-TAP BYW54-TR BYW55-TAP BYW55-TR BYW56-TAP BYW56-TR BYW72-TAP BYW72-TR BYW73-TAP BYW73-TR BYW74TAP