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BYW4200BR

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BYW4200BR 技術參數
  • BYW36-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57，軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYW36-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57，軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW35-TR 功能描述:Diode Avalanche 500V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57，軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW35-TAP 功能描述:Diode Avalanche 500V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57，軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW34-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57，軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW53-TR BYW54-TAP BYW54-TR BYW55-TAP BYW55-TR BYW56-TAP BYW56-TR BYW72-TAP BYW72-TR BYW73-TAP BYW73-TR BYW74TAP BYW74TR BYW75TAP BYW75TR BYW76RAS15-10-PH BYW76TAP BYW76TR
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